Ihr Warenkorb ist leer
Ihr Warenkorb ist leerHersteller STMicroelectronics Transistor-Typ IGBT Kollektor-Senderspannung 650 V Krümmerstrom 80 A Gehäuseableitung 470 W TO247-3 Eingangsspannung - Sender ±20 V Krümmerstrom im Impuls 300 A Montage THT Türlast 414nC Features M Aximum Junction Temperatur: TJ = 175 °C High Speed Switching Series Minimized tail current Low Sättigung Spannung: VCE(sat) = 1,6 V (typ.) @ IC = 80 A Tight Parameter Verteilung Safe paralleling Positive VCE(sat) Temperature coefficient Low thermal resistance Very fast soft recovery antiparallel diode applications photovoltaic inverters high frequency converters Description These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary Türkis dstop structure Diese Geräte sind Teil der neuen HB Serie von IGBTs, die eine optimale Kompromisse zwischen Fahren und Schaltungen aufweisen, um die Effizienz jeder Frequenz zu maximieren. Furthermore, die slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter verteilung result in safer paralleling operation.
