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Ihr Warenkorb ist leer BOJACK IRF510N MOSFET ist ein Feldeffekttransistor, der sein kann
weit verbreitet in analogen und digitalen Schaltungen.
Grundparameter:
Der IRF510N ist in einem TO-220AB-Paket erhältlich
Einschaltwiderstand Rds (ein): 0,54 Ohm
Spannung Vgs am höchsten: ± 20V
Anzahl der Stiche: 3
Betriebstemperatur: -55 ° C bis +175 ° C.
Wärmewiderstandsverbindung zu Fall A: 0,29 ° C / W.
Spannung Vds Typisch: 100V
Strom-ID kontinuierlich: 5.6A
Aktueller Idm-Impuls: 20A
Aufputzgerät: Durch Lochmontage
Bleifreier Umweltschutz
Franz 7888
Bewertet in Deutschland am 6. August 2024
ok good seller
Emilio
Bewertet in Italien am 22. Oktober 2024
Comprerò di nuovo
Sparks45
Bewertet in Großbritannien am 5. Februar 2023
good value, arrived quickly,did the job
Michael Schenck
Bewertet in Deutschland am 4. Juni 2023
Alles ok,Gute Verpackung
CONET Olivier
Bewertet in Frankreich am 19. Juli 2023
Il ne s'agit pas du transistor original IRF510 Vishay ou IR, mais d'une copie made in China.Après mesure, ce transistor ne tient pas les caractéristiques RF de l'original. A éviter.
Carmen Artero
Bewertet in Spanien am 29. Januar 2021
No son válidos para radiofrecuencia. No tienen las especificaciones del original. Seguramente sin validos para otras aplicaciones electrónicas pero no son los auténticos IRF510De nuevo Amazon vuelve a no ser un lugar fiable para comoray
K.D.S.
Bewertet in Deutschland am 22. Juni 2021
Prompte Lieferung, gute Qualität,gut verpackt --
bellinazzi luca
Bewertet in Italien am 13. Mai 2021
usato per riparare una lampada che è tornata a funzionare subito.
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